La memoria de semiconductores se puede clasificar en memorias volátiles y no volátiles. La RAM o Random Access Memory (memoria de acceso aleatorio) es una memoria volátil y existe en dos tipos: SRAM que significa Static Random Access Memory (memoria de acceso aleatorio estático) y DRAM, Dynamic Random Access Memory (memoria de acceso aleatorio dinámico). RAM significa que se accede directamente a las ubicaciones de memoria individuales por dirección.

Estas memorias son de acceso aleatorio (RAM) y son volátiles, lo que significa que no se retienen por más tiempo. RAM también se puede denominar como área de almacenamiento de memoria de trabajo dentro de la computadora. SRAM y DRAM pierden datos una vez que se elimina la alimentación. Sin embargo, la DRAM debe actualizarse periódicamente.

La diferencia clave entre las dos es la tecnología que se utiliza para mantener los datos. La SRAM utiliza pestillos para almacenar datos (circuito de transistor), mientras que la DRAM utiliza condensadores para almacenar bits en forma de carga. La SRAM usa tecnología CMOS de alta velocidad normal para la construcción, mientras que la DRAM usa procesos especiales para lograr una alta densidad optimizada. Las RAM dinámicas tienen una estructura interna simple en comparación con las SRAM.

la SRAM es más rápida en comparación con la DRAM. Sin embargo, la DRAM es más pequeña y menos costosa por bit. El tiempo de ciclo de la SRAM es mayor que el de la DRAM además de que eesta última tiene más capacidad que la SRAM. La memoria DRAM se utiliza como memoria principal, mientras que las memorias caché en el chip suelen ser SRAM.

Las SRAM se han diseñado principalmente para cumplir dos requisitos principales: 1. Proporcionar una interfaz directa con la CPU a velocidades que las DRAM no pueden alcanzar. 2. Tener DRAM en aquellos sistemas que requieren un bajo consumo de energía.