Un FET (Transistor de efecto de campo) es un dispositivo controlado por voltaje donde su capacidad de transporte de corriente se cambia mediante la aplicación de un campo electrónico.

NMOS (nMOSFET) es un tipo de MOSFET. Un transistor NMOS está formado por una fuente y drenaje de tipo n y un sustrato de tipo p.

PMOS (pMOSFET) es un tipo de MOSFET. Un transistor PMOS está formado por una fuente y drenaje tipo p y un sustrato tipo n.

En un NMOS, los portadores son electrones, mientras que en un PMOS, los portadores son huecos. Los NMOS se consideran más rápidos que los PMOS, ya que los portadores en NMOS, que son electrones, viajan el doble de rápido que los huecos, que son los portadores en PMOS. Pero los dispositivos PMOS son más inmunes al ruido que los dispositivos NMOS. Además, los IC de NMOS son más pequeños que los IC de PMOS ya que el NMOS puede proporcionar la mitad de la impedancia proporcionada por un PMOS (que tiene la misma geometría y condiciones de funcionamiento).